Кристаллические структуры - сверхрешетки

Современная физика добилась просто блестящих результатов в выращивании нового, совершенного типа кристаллических структур, так называемых сверхрешеток.
Сверхрешетки состоят из строго чередующихся сверхтонких слоев двух полупроводниковых материалов, которые имеют разные значения постоянных кристаллической решетки. Ученые достигли совершенства при нанесении сверхтонких слоев друг на друга.
Этот процесс проходит в глубоком вакууме с помощью атомных пучков. Скорость создания идеальной кристаллической структуры материала достигает 10~7 мм/с. Причем расстояние между слоями рекордно мало, оно лишь немногим превышает расстояние между частицами внутри кристаллической структуры одного материала. Наилучших результатов в получении кристаллических сверхрешеток достигли специалисты из Иллинойского университета (США) и фирмы «Вариан».
Полупроводниковая сверхрешетка была сформирована из чередующихся слоев арсенида галлия и этого же материала, но легированного индием. Этот материал стали использовать в качестве элемента для лазерного излучения в непрерывном режиме. Как считают авторитеты физики, у искусственных полупроводниковых сверхрешеток в недалеком будущем самые заманчивые перспективы в области приборостроения, радиоэлектроники и др.